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分立器件测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

分立器件测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：139 查看详情 >>
分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

分立器件静态参数测试系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/分立器件静态参数测试系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） ...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：140 查看详情 >>
功率器件参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

功率器件参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

STD2000/功率器件参数测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极/栅极电压40V，栅极...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：137 查看详情 >>
功率器件测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

功率器件测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/功率器件测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A）...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：158 查看详情 >>
晶体管参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

晶体管参数测试仪系统&能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/晶体管参数测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：147 查看详情 >>
晶体管测试仪系统&能测IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

晶体管测试仪系统&能测IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/晶体管测试仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极/...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：139 查看详情 >>
晶体管静态参数测试仪系统能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

晶体管静态参数测试仪系统能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/晶体管静态参数测试仪系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：149 查看详情 >>
晶体管图示仪& 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

晶体管图示仪& 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000/晶体管图示仪系统能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 高压源标配1400V（选配2KV），高流源标配100A（选配40A,200A,500A） 控制极/栅...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：143 查看详情 >>
晶体管图示仪&曲线追踪扫描仪& IV曲线CV曲线伏安特性

晶体管图示仪&曲线追踪扫描仪& IV曲线CV曲线伏安特性

陕西天士立科技有限公司STD2000/晶体管图示仪曲线追踪扫描仪能测试多种电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA 分辨率最高至1.5uV/1.5pA，精度最高可至...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：137 查看详情 >>
晶体管直流参数测试系统

晶体管直流参数测试系统

陕西天士立科技有限公司/STD2000/晶体管直流参数测试系统能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 控制极/栅极电压40V，栅极电流100mA 分辨率最高至1.5uV/1.5pA，精度最高可至0...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：145 查看详情 >>
元器件参数测试仪& 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

元器件参数测试仪& 能测 IGBT. Mosfet. Diode. BJT......

陕西天士立科技有限公司/STD2000元器件参数测试仪能测试很多电子元器件的静态直流参数（如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆盖7大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类（如BJT、MOSFET、IGBT）”“保护类...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：144 查看详情 >>
IV曲线追踪仪

IV曲线追踪仪

陕西天士立科技有限公司STD2000/IV曲线追踪仪可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 （如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 测试种类覆...

发布日期：2024-07-04  阅读次数：168 查看详情 >>
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