陕西天士立科技有限公司/STD2000/IV曲线测试仪可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。 测试种类...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。 ...
陕西天士立科技有限公司STD2000/半导体测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。 测试种...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体分立器件参数测试系统可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。...
陕西天士立科技有限公司STD2000/半导体器件测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。 测...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体器件参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体管图示仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。 测...
陕西天士立科技有限公司STD2000/半导体管特性图示仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。 ...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/半导体特性曲线图示仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on))。...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/碳化硅SiC器件参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/氮化镓GaN器件参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on...
陕西天士立科技有限公司/STD2000/晶体管参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 (如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds...