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晶体管动态特性测试系统STA1200

晶体管动态特性测试系统STA1200

基础信息 高压源：1200V（选配2000V） 高流源：100A（选配200A/300A/500A） 驱动电压：±20V（选配±30V） 时间分辨率：1ns（选配400ps/200ps/100ps） 系统杂感：＜20nH 测试对象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（选配BJT） 变温测试：常温~150℃/200℃ 感性负载：程控电感（0.01~160mH，步进10uH...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：128 查看详情 >>
STA1200晶体管动态特性测试系统

STA1200晶体管动态特性测试系统

试验能力 基本配置 标配，开通特性测试单元/Turn_ON 标配，关断特性测试单元/Turn_OFF 标配，二极管反向恢复测试单元/Trr 标配，栅电荷测试单元/Qg ¨选配，容阻测试单元/CR ¨选配，短路测试单元/SC ¨选配，雪崩测试单元/UIS ¨选配，安全工作区单元/SOA ¨选配，动态电阻单元/ 高压源：1200V（选配2000V） 高流源：100A（选配200A/3...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：142 查看详情 >>
IGBT模块动态特性测试系统STA3500

IGBT模块动态特性测试系统STA3500

电气配置 高压源/VCC：1500V/3300V/5000V/10KV 高流源/IC：600A/1500A/3000A/6000A/10KA 短路电流/Isc：3000A/6000A/10KA（5-50µs） 驱动电压/VGE：±0.5~30V/±0.5~50V Rg：0.5R、1R、2R、4R（支持手动和自动切换） 负载/L：105015050010002000uH 电流/I：6000...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：150 查看详情 >>
晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X

晶体管正向偏置安全工作区测试系统ST-FBSOA_X

基础信息 Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOS-FET的FBSOA（正向偏置安全工作区）测试 FBSOA和对应的IV曲线 ICE电流0~1000A VCE电压0~100V VGE驱动电压0~30V VMNF热敏电压≤5V Pmax功率100KW 脉宽10us~10ms 柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机程控 该图是简版FBSOA曲线，划定了四条电压-电流关系...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：140 查看详情 >>
光耦静态直流参数测试仪系统

光耦静态直流参数测试仪系统

陕西天士立科技有限公司/STD2000/光耦静态直流参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 （如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：139 查看详情 >>
光耦参数测试仪系统

光耦参数测试仪系统

陕西天士立科技科技有限公司/STD2000/光耦参数测试仪系统 可以测试Si,SiC,GaN&IGBT、Mosfet、Diode、BJT、SCR等电子元器件的静态直流参数和IV曲线 （如击穿电压V(BR)CES/V(BR)DSs、漏电流ICEs/lGEs/IGSs/lDSs、阈值电压/VGE(th)、开启电压/VCE(on)、跨导/Gfe/Gfs、压降/Vf、导通内阻Rds(on)）。 ...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：146 查看详情 >>
功率器件参数定义及测试方案

功率器件参数定义及测试方案

参数定义功率器件参数主要是指静态直流参数，是本身固有的，与其工作条件无关的电学参数，以MOS管为例，主要包括：门极开关电压（VGSTH、VGSON、VGSOFF），漏-源击穿电压（BVDSS）、零栅压漏极电流（IDSS）、栅源漏电流（IGSS）、导通内阻（RDSON）、寄生电容（输入电容Ciss、输出电容Coss、发向传输电容Crss），以及以上参数的相关特性曲线的测试(IV及CV曲线)。第三代...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：134 查看详情 >>
半导体分立器件基础知识讲解

半导体分立器件基础知识讲解

分立器件基本概念 半导体分立器件是指由半导体材料制成的，具有单一功能或特定功能的电子元器件，其基础单元室PN结。常见的半导体分立器件包括二极管、三极管、场效应管、晶闸管、IGB等。这些器件的主要制造材料包括硅、锗、碳等半导体元素，第一代和第二代半导体是硅基材料，第三代仪碳化硅和氮化镓为代表，主要用于制造二极管、MOS管、IGBT等 常见分立器件的种类 二极管：二极管是一种具有单向导电性的半导体器...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：141 查看详情 >>
半导体分立器件应用分析及测试方案

半导体分立器件应用分析及测试方案

一、分立器件应用领域 半导体分立器件是电子电路的基础元器件，是各类电子产品线路中不可或缺的重要组件。近年来，我国半导体分立器件制造企业通过持续的引进消化吸收再创新以及自主创新，产品技术含量及性能水平大幅提高。部分优质企业在细分产品领域的技术工艺水平已经达到国际先进水平，并凭借其成本、技术优势逐步实现进口替代。 1、家用电器领域 半导体分立器件可以对驱动家用电器的电能进行控制和转换，是家用电器的关...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：131 查看详情 >>
“陕西天士立科技”快讯｜首批IGBT模块静态动态参数测试设备产线工作站交付

“陕西天士立科技”快讯｜首批IGBT模块静态动态参数测试设备产线工作站交付

什么是IGBT 功率半导体是半导体行业的细分领域，虽不像集成电路一样被大众熟知，但其重要性不可忽视。IGBT是功率半导体的一种，它是电子电力装置和系统中的“CPU”、高效节能减排的主力军。IGBT模块是由IGBT（绝缘栅双极型晶体管芯片）与FWD（二极管芯片）通过特定的电路桥接封装而成的模块化半导体产品，封装后的IGBT模块直接应用于EV、HEV、变频器、工业电机驱动、风力涡轮机、光伏装置、轨道...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：136 查看详情 >>
CSMC-02 2KV单极性脉冲电源 参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源

CSMC-02 2KV单极性脉冲电源 参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源

“天士立科技”电源事业部、集脉冲功率技术方面资深技术专家团队，致力于脉冲电源及脉冲功率技术研究与应用。在基于MOSFET/IGBT/DSRD及第三代半导体器件的脉冲电源方面有20余年的研究开发经验。公司的脉冲电源产品电压幅值从数kV到百kV级，脉冲上升时间从ps级到ms级，脉冲平顶宽度从0ns到DC，脉冲频率可达MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性负载。脉冲的波形可以是方波、三角波、指数...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：131 查看详情 >>
CSMC-05 5KV单极性脉冲电源&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源

CSMC-05 5KV单极性脉冲电源&参数化脉冲源_高压脉冲纳秒脉冲电源

“天士立科技”电源事业部、集脉冲功率技术方面资深技术专家团队，致力于脉冲电源及脉冲功率技术研究与应用。在基于MOSFET/IGBT/DSRD及第三代半导体器件的脉冲电源方面有20余年的研究开发经验。公司的脉冲电源产品电压幅值从数kV到百kV级，脉冲上升时间从ps级到ms级，脉冲平顶宽度从0ns到DC，脉冲频率可达MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性负载。脉冲的波形可以是方波、三角波、指数...

发布日期：2024-07-03  阅读次数：140 查看详情 >>
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