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压接型IGBT芯片动态特性实验平台的设计与实现

本文针对电-热-力综合作用下压接型IGBT芯片动态特性测试需求，对实验平台的关键问题进行了仿真计算和实验验证。所研制平台具有回路寄生电感小、芯片表面受力均衡及机械夹具温度分布合理的特点。可以满足不同电压、机械压力及温度下压接型IGBT芯片动态特性测试的需求，为压接型IGBT芯片动态特性测试提供了实验基础。论文方法及创新点本文采用仿真计算指导平台设计、实验验证定量指标的方法对压接型IGBT芯...

发布日期：2024-06-07 阅读次数：184 查看详情 >>

全面系统剖析半导体功率器件IGBT/MOS双脉冲测试平台

“陕西天士立科技”推出的“半导体功率器件IGBT/MOS双脉冲测试平台”是表征功率半导体器件动态特性的重要手段，适用于各类功率器件，包括MOSFET、IGBT、Diode、SiCMOSFET、GaNHEMTs。同时，这项测试发生在器件研发、器件生产、系统应用等各个环节，测试结果有力地保证了器件的特性和质量、功率变换器的指标和安全，可以说是伴随了功率器件生命的关键时刻。随着先进功率器件的问世以及...

发布日期：2024-06-07 阅读次数：190 查看详情 >>

首批IGBT模块静态动态参数测试设备产线工作站交付

我们为IGBT测试做了哪些？实现交付，首批IGBT模块生产线自动化测试工作站交付天士立Tianshili自2008年开始布局IGBT动静态测试设备，历经数年多的技术攻关，实现进口替代，成功运用于客户的研发和品质测试。2021年上半年，连续中标某单位IGBT模块生产线测试环节的相关订单，成为中车首个在生产线批量采购的国产测试设备，标志着公司在IGBT模块领域的产品从单一研发试验设备，进一步扩...

发布日期：2024-05-27 阅读次数：212 查看详情 >>

开工大吉

人勤春来早奋斗正当时正月初九我们开工啦

发布日期：2024-02-18 阅读次数：290 查看详情 >>

半导体是中美会谈时中方提出的重点问题

美方《芯片与科学法》等半导体产业政策和出口管制是中方重要经贸关切，也是王文涛部长与美方会谈中提出的重点问题。 6月1日，商务部举行新闻发布会，商务部新闻发言人束珏婷介绍近期商务领域重点工作有关情况，并答记者问。束珏婷表示，5月25日和26日，商务部部长王文涛赴美国参加亚太经合组织（APEC）贸易部长会议期间，分别与美国商务部长雷蒙多、贸易代表戴琪举行会谈。双方都认为中美经贸关系十分重要，就各自...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：265 查看详情 >>

通信芯片和自有芯片挤压，中国平板芯片企业艰难

据IDC的数据显示第三季度全球平板电脑的出货量达到4300万台，依然是一个相当大的市场，在经历了连续下滑后，在本季度获得了环比9.8%的增长率，这对于平板行业来说是一个不错的利好消息。 StrategyAnalytics发布的数据显示，三季度苹果、高通、英特尔、联发科和三星LSI位居平板芯片市场份额前五强，而苹果、高通、英特尔更是包揽近七成市场份额，这导致中国平板芯片企业生存日益艰难。平板企业...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：235 查看详情 >>

浅谈IGBT驱动器拓展电流

功率半导体驱动电路是集成电路的一个重要子类，功能强大，用于IGBT的驱动IC除了提供驱动电平和电流，往往带有驱动的保护功能，包括退饱和短路保护、欠压关断、米勒钳位、两级关断、软关断、SRC(slewratecontrol)等，产品还具有不同等级的绝缘性能。但作为集成电路，其封装决定了最大功耗，驱动IC输出电流有的可以做到10A以上，但还是不能满足大电流IGBT模块的驱动需求，本文将讨论IGBT驱...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：177 查看详情 >>

富士康发力四座封测厂，半导体火力全开！

为补强电动车所需的半导体战力，鸿海旗下工业富联（FII）先前取得半导体封测龙头日月光投控位于大陆四座工厂，产业人士透露，工业富联与鸿海转投资青岛新核芯科技将分工合作，规划四座封测厂布局车用第三代半导体等功率元件封装，让鸿海集团的电动车半导体元件，无后顾之忧。日月光投控在2021年12月出售子公司GAPTHoldingLimited股份给智路资本，包括GlobalAdvancedPackagin...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：168 查看详情 >>

半导体工艺：要做小也要做深

集成电路发展有两大动力，一个是摩尔红利驱动的逻辑工艺，一个是市场细分驱动的特色工艺。今年年初，华虹集团旗下华虹无锡项目一期（华虹七厂）首批功率器件产品交付，标志着中国大陆最先进的12英寸功率器件平台成功实现量产。此前，积塔半导体特色工艺生产线正式搬入首台光刻机，厦门士兰12英寸特色工艺产线封顶并投产。一方面，世界前十的晶圆代工厂都对特色工艺有所布局，竞争压力不容小觑；另一方面，特色工艺长尾效应明...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：168 查看详情 >>

半导体“国产替代”进展如何？

随着全球修复性反弹步入尾声，基本面改善对市场重要性正逐级提升。A股而言，国内经济恢复趋势明确，经济重启仍是主线：本周前三个交易日，内需板块继续凭借确定性获得做多共识，而以半导体为代表的科技行情，在中美科技争端的扰动下，运行节奏较为胶着。那么扩大实体名单的科技围堵下，我国半导体产业链现状如何？新型“举国体制”又能否助力国产半导体突围？目前全球半导体价值链主要涵盖了五个领域：设备（光刻、离子注入等...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：167 查看详情 >>

“芯”机遇！半导体产业哪些领域已具备国产替代的能力？

近日，美国又通过修订法案对中国科技行业翘楚——华为公司做出了进一步的制裁。新的制裁计划，主要是限制半导体设计和制造，当前国内半导体制造设备发展情况如何，国产替代空间在哪里？晶圆代工，当前国内制程处于什么位置？今天同花顺专家团邀请了国盛证券研究所所长助理，电子行业首席分析师——郑震湘先生为大家分享。嘉宾简介：郑震湘，国盛证券研究所所长助理，电子行业首席分析师，2019年新财富第二名，2019年水...

发布日期：2023-12-12 阅读次数：186 查看详情 >>

打破国外垄断！国产高能离子注入机重大突破！

6月30日消息，据新华社报道，中国电子科技集团宣布，由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机，成功实现百万电子伏特高能离子加速，性能达到国际先进水平。记者近日从中国电子科技集团采访获悉，由该集团旗下电科装备自主研制的高能离子注入机成功实现百万电子伏特高能离子加速，性能达国际主流先进水平。这意味着在芯片自主研制的道路上，中国又攻克了一样受制多年的核心装备。电科装备离子注入机总监张丛对记者表...

压接型IGBT芯片动态特性实验平台的设计与实现

发布日期：2024-06-07 阅读次数：184 查看详情 >>

全面系统剖析半导体功率器件IGBT/MOS双脉冲测试平台

发布日期：2024-06-07 阅读次数：190 查看详情 >>

首批IGBT模块静态动态参数测试设备产线工作站交付

发布日期：2024-05-27 阅读次数：212 查看详情 >>

开工大吉

发布日期：2024-02-18 阅读次数：290 查看详情 >>

半导体是中美会谈时中方提出的重点问题

发布日期：2023-12-12 阅读次数：265 查看详情 >>

通信芯片和自有芯片挤压，中国平板芯片企业艰难

发布日期：2023-12-12 阅读次数：235 查看详情 >>

浅谈IGBT驱动器拓展电流

发布日期：2023-12-12 阅读次数：177 查看详情 >>

富士康发力四座封测厂，半导体火力全开！

发布日期：2023-12-12 阅读次数：168 查看详情 >>

半导体工艺：要做小也要做深

发布日期：2023-12-12 阅读次数：168 查看详情 >>

半导体“国产替代”进展如何？

发布日期：2023-12-12 阅读次数：167 查看详情 >>

“芯”机遇！半导体产业哪些领域已具备国产替代的能力？

发布日期：2023-12-12 阅读次数：186 查看详情 >>

打破国外垄断！国产高能离子注入机重大突破！

发布日期：2023-12-12 阅读次数：193 查看详情 >>

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