“天士立科技”电源事业部、集脉冲功率技术方面资深技术专家团队，致力于脉冲电源及脉冲功率技术研究与应用。在基于MOSFET/IGBT/DSRD及第三代半导体器件的脉冲电源方面有20余年的研究开发经验。公司的脉冲电源产品电压幅值从数kV到百kV级，脉冲上升时间从ps级到ms级，脉冲平顶宽度从0ns 到DC，脉冲频率可达MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性负载。脉冲的波形可以是方波、三角波、指数波等，脉冲的关键特征参数均可编程控制。公司产品支持定制、半定制，应用范围涵盖材料处理、生物医学、半导体测试、电光调制、激光泵浦、农业食品、能源化工、环境治理、航空航天等科研和工业领域。

CSMC-B200/IRE专为新一代不可逆电穿孔技术用于肿瘤消融的双极性高压纳秒脉冲电源，广泛应用于IRE科研、以及商业的纳米刀消融。

CSMC-B2000/IRE通过专有的MARX专利新技术，灵活输出特有的从ns到us级的脉冲/脉冲串组合，其ns级高压脉冲波形实现的复合陡脉冲电场为治疗各样的恶性肿瘤提供了高效、安全的手段。

主要参数

脉冲形式：正向单脉冲、负向单脉冲、双向对称脉冲、双向不对称脉冲、正向多脉冲、负向多脉冲、双向对称多脉冲、双向不对称多脉冲。

脉冲幅度：±500 V~±2 kV；误差±10%（额定负载 100Ω）。

脉冲幅值衰减：100Ω 负载、2kV 幅度、300 ns 脉冲宽度、单脉冲，脉冲后沿幅度相比前沿幅度衰减<10%（100Ω 负载、2kV 幅度、300 ns 脉冲宽度、1s 的间隔，后一脉冲相比前一脉冲幅度衰减<5%）。

脉冲宽度：100 ns~300 ns，误差±10%。

脉冲间隔：2.5 ms~1 s，误差±10%。

上升/下降沿时间：<100 ns。

适配负载：50 Ohm – 300 Ohm

触发模式：内部触发、外部触发