参数定义功率器件参数主要是指静态直流参数，是本身固有的，与其工作条件无关的电学参数，以MOS管为例，主要包括：门极开关电压（VGSTH、VGSON、VGSOFF），漏-源击穿电压（BVDSS）、零栅压漏极电流（IDSS）、栅源漏电流（IGSS）、导通内阻（RDSON）、寄生电容（输入电容Ciss、输出电容Coss、发向传输电容Crss），以及以上参数的相关特性曲线的测试(IV及CV曲线)。第三代半导体以碳化硅(SiC)和氮化镓(GaN)等全新宽带隙材料为主流推出MOS管、IGBT能够支持大电压和高切换速度，在新兴大功率应用领域具有广阔前景。在高电压直流偏置条件下 (高达3 kV)，高击穿电压 (达10 kV)、 大电流 (数千安培)、 栅极电荷以及连接电容表征和器件温度特征和 GaN器件电流崩溃效应测量功能都十分必要，是推动新器件尽快上市的重要保证。IGBT可以作为众多应用的电子开关，其重要性持续增加。以功率MOS管为例，讲述分立器件静态测试参数：

VGSTH/VGSON，VGS(off)：阈值电压

VGSTH是指加的栅源电压能使漏极开始有电流，或关断MOSFET时电流消失时的电压，测试的条件（漏极电流，漏源电压，结温）也是有规格的。正常情况下，所有的MOS栅极器件的阈值电压都会有所不同。因此，VGSTH的变化范围是规定好的。VGSTH是负温度系数，当温度上升时，MOSFET将会在比较低的栅源电压下开启。

BVDSS：漏-源击穿电压(破坏电压)

BVDSS（有时候叫做V(BR)DSS）是指在特定的温度和栅源短接情况下，流过漏极电流达到一个特定值时的漏源电压。这种情况下的漏源电压为雪崩击穿电压。BVDSS是正温度系数，温度低时BVDSS小于25℃时的漏源电压的最大额定值。在-50℃,BVDSS大约是25℃时最大漏源额定电压的90%。

IDSS：零栅压漏极电流

IDSS是指在当栅源电压为零时，在特定的漏源电压下的漏源之间泄漏电流。既然泄漏电流随着温度的增加而增大，IDSS在室温和高温下都有规定。漏电流造成的功耗可以用IDSS乘以漏源之间的电压计算，通常这部分功耗可以忽略不计。

IGSS ―栅源漏电流

IGSS是指在特定的栅源电压情况下流过栅极的漏电流。

RDSON：导通电阻

RDSON是指在特定的漏电流（通常为ID电流的一半）、栅源电压和25℃的情况下测得的漏-源电阻。

Ciss：输入电容

Ciss指将漏源短接，用交流信号测得的栅极和源极之间的电容就是输入电容。Ciss是由栅漏电容Cgd和栅源电容Cgs并联而成，或者Ciss=Cgs+Cgd。当输入电容充电致阈值电压时器件才能开启，放电致一定值时器件才可以关断。因此驱动电路和Ciss对器件的开启和关断延时有着直接的影响。

Coss：输出电容

Coss指将栅源短接，用交流信号测得的漏极和源极之间的电容就是输出电容。Coss是由漏源电容Cds和栅漏电容Cgd并联而成，或者Coss = Cds +Cgd对于软开关的应用，Coss非常重要，因为它可能引起电路的谐振。

Crss：反向传输电容

Crss指在源极接地的情况下，测得的漏极和栅极之间的电容为反向传输电容。反向传输电容等同于栅漏电容。Cres =Cgd，反向传输电容也常叫做米勒电容，对于开关的上升和下降时间来说是其中一个重要的参数，会影响关断延时时间。电容随着漏源电压的增加而减小，尤其是输出电容和反向传输电容。

面对功率器件高压、高流的测试要求，陕西天士立推出的功率器件参数测试系统STD2000可以支持晶圆和封装器件全静态参数测试、覆盖7大类别26分类，包括“二极管类”“三极管类”“保护类器件”“稳压集成类”“继电器类”“光耦类”“传感监测类”等品类的繁多的电子元器件。高压源1400V（选配2KV），高流源40A（选配 100A,200A,500A），栅极电压40V/100mA，分辨率最高至1.5uV / 1.5pA，精度最高可至0.1%，除静态参数还可测试“结电容” ，支持“脉冲式自动加热”和“分选机连接”，非常适合“来料检验 ”“失效分析 ”“选型配对 ”“量产测试 ”等不同应用场景下的功率器件参数测试。