基础信息

高压源：1200V（选配2000V）

高流源：100A（选配200A/300A/500A）

驱动电压：±20V（选配±30V）

时间分辨率：1ns（选配400ps/200ps/100ps）

系统杂感：＜20nH

测试对象：Si（SiC/GaN）IGBT,Diode,MOSFET（选配BJT）

变温测试：常温~150℃/200℃

感性负载：程控电感（0.01~160mH，步进10uH） 

阻性负载：程控电阻（1Ω,2Ω,5Ω,10Ω,50Ω）备用三个

测试管型：可以测试N沟道和P沟道的IGBTs,MOSFETs

测试标准：IEC60747-9/IEC60747-2，GB/T29332/GB/T4023

试验原理举例

技术特点

专注宽禁带功率器件动态参数评测，软件程控，测试条件界面化输入，系统闭环处理，自动调节一键测试

采用光纤驱动信号通讯，响应速度快，抗干扰能力强

自动加热可由室温~200℃，精度±0.1℃

测试结果Excel，JPEG波形，波形任意缩放细节展宽分析

测试主功率回路寄生电感Ls<10nH(实测)

栅极驱动电阻Rg端口开放，按设定条件匹配电阻

DualARM控核，DSP数据采样计算，极大减少控制时延误差

试验能力

标配：开通特性测试单元/Turn_ON

标配：关断特性测试单元/Turn_OFF

标配：二极管反向恢复测试单元/Trr

标配：栅电荷测试单元/Qg¨

选配：容阻测试单元/CR¨

选配：短路测试单元/SC¨

选配：雪崩测试单元/UIS¨

选配：安全工作区单元/SOA¨

选配：动态电阻单元/

参数指标