测试对象：IGBT、Mosfet、Diode

测试参数：静态参数，包括IGBT的IGES、ICES、VGE(th)、VCE(sat)以及快恢复二极管的VF、ICES等参数

标准:《绝缘栅双极晶体管（IGBT）》（GB/T29332-2012）

该测试仪具有自动保护功能，且所有参数的设定及显示均采用液晶屏触摸屏实现，支持U盘一键导出数据

IGBT测试IGBT测试项目测试条件测试结果栅极-发射极栅

极绝缘Vges: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1VIges: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA截止电流Vces: 100-2000V,分辨力,1 V

精度:±3% ±10VIces: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辩力,0.1mA

精度:±3% ±10µA阈值电压Ice： 1-10mA， 分辨力， 1mA

（可根据客户需求扩展）Vge(th): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V饱和压降Ice: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1AVce(sat): 0.20-10.00V,分辨力,0.01V

精度:±3% ±0.10V二极管压降If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 AVf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V二极管反向电流Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10VId: 100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

MOSFET测试MOSFET测试项目测试条件测试结果栅极-源极绝缘Vgss: 1.0-20.0V ,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1VIgss: 0.1-20.0µA,分辨力,0.1µA

精度:±3% ±0.1µA漏极-源极截止电流Vdss:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10VIdss:100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA栅极-源极阈值电压Ids： 1-10mA， 分辨力， 1mAVgs(to): 1.0-10.0V,分辨力,0.1V

精度:±3% ±0.1V漏极-源极导通电阻Ids:20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1ARds(on):0-500mR,分辨力,1mR二极管压降If: 20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1 AVf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V二极管反向电流Vdss:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10VIdss:100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA

DIODE测试DIODE测试项目测试条件测试结果二极管压降If:20-200A,分辨力,1A

精度:±3% ±1AVf: 0.10-5.00V分辨力0.01V

精度:±3% ±0.10V二极管反向电流Vd:100-2000V,分辨力,1V

精度:±3% ±10VId:100µA-1000µA,分辨力,10µA

1.0mA-10.0mA,分辨力,0.1mA

精度:±3% ±10µA