ST-FBSOA/IGBT/MOS正向偏置安全工作区测试系统，可以测试Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOSFET的正向偏置安全工作区，安全工作区设备包括“正向偏置安全工作区FBSOA”“反向偏置安全工作区RBSOA”“短路安全工作区SCSOA”

专注半导体检测·电学检测·可靠性检测·老化实验

基础信息

Si,SiC,GaN,材料的器件级和模块级的IGBT,MOSFET的FBSOA（正向偏置安全工作区）测试

IGBT/MOS正向偏置安全工作区测试系统测试FBSOA和对应的IV曲线

ICE电流0~1000A

VCE电压0~100V

VGE驱动电压0~30V

VMNF热敏电压≤5V

Pmax功率100KW

脉宽10us~10ms

柜式结构，气动安全（支持手动式）工装柜，计算机程控

FBSOA定义

该图是简版FBSOA曲线，划定了四条电压-电流关系的边界线，分别是AB段，BC段，CD段，DE段。IGBT/MOS正向偏置安全工作区测试系统。

AB段规定了处于饱和导通状态下IGBT的zd工作电流，这个电流与IGBT的门极驱动电压幅值相关，从图看出，IGBT门极驱动电压幅值越高，饱和导通状态下的zd工作电流越大

BC段是IGBTmax可重复电流ICpuls，是4倍标称电流

CD段需结合IGBT瞬态热阻看。IGBT有线性区和饱和区

跨AB段后，其IGBT处于线性区了，也就退出饱和导通区， IGBT损耗急剧上升。所以，这条边界体现IGBT能承受zd耗散功率Ptot。且CE电压越高，IGBT所能承电流脉冲幅值越低。另外，电流脉宽越大，IGBT所能承受电流幅值也越低

蓝色CD段各种脉冲宽度下的SOA，均是单脉冲安全工作区，非连续工作情况下的工作区，所以，必须参考上一页的右下角的IGBT瞬态热阻曲线，由公式（1）计算出在指定VCE条件下允许的电流IC的幅值和脉宽

DE段规定了IGBT集射极CE击穿电压，IGBTCE击穿电压是和结温正相关，结温越低，CE击穿电压也越低。IGBT/MOS正向偏置安全工作区测试系统。

产品特点

测试规范：IEC60747-9、IEC60747-2、GB/T29332、GB/T4023

测试工装有“手动式”“气动式”“电子开关式”供选择，不同封装外观，更换“DUT适配器”即可

高温测试，支持室温~200℃，±1℃@0.5℃

计算机程控，测试数据可存储为Excel、PDF。内置多种通用文档模板供用户选择，还可自定义

安全稳定（PLC对设备的工作状态进行全程实时监控并与硬件进行互锁）设备具有安全工作保护功能

智能化，计算机进行操控及数据编辑，测试结果自动保存及上传特定局域网，支持MES系统和扫码枪连接

安全性，防爆，防触电，短路保护等多重保护措施，可以操作人员、设备、数据及样品安全

电压源电流源模块化设计，根据需求，自选搭配。IGBT/MOS正向偏置安全工作区测试系统。