Si,SiC,GaN材料的IGBT,Mosfet,Diode,BJT,SCR，IPM,OC，Relay等元器件的电参数、可靠性、老化试验。
恒温，恒湿，快速温变，冷热冲击，气压，盐雾，蒸汽，臭氧，真空，淋雨沙尘，紫外/疝灯，热真空，涉氢及各类大中小”力学振动试验台。
高重频、高功率、高压、窄脉冲电源，电压从数kV到百kV级，上升沿从fs级到ms级，脉宽0ns到DC，频率可达MHz，可匹配阻性、容性(pF到nF)和感性负载。
SoC/ASIC仿真验证。“FPGA原型验证矩阵”、“企业级硬件仿真加速器”、“ESL高阶设计语言编译和仿真工具”、“逻辑综合器”致力“先进数字前端EDA工具供应商”。
碳化硅精密制品，工艺有静压成型、干压成型、注浆、真空挤出。高纯超细碳化硅微粉，2450℃高温烧结，碳化硅含量＞99.1%，密度≥3.10g/cm3。
CNAS认证实验室，联合实验室、提供第三方检测与验证等检测分析和技术咨询。
