发布日期:2024-05-13  浏览次数:535
STO-X 光耦参数测试仪@选型比对@天士立科技

STO-X系列光耦测试仪共有4个型号10款配置

测试参数:静态参数、开关参数

应用场景:光耦筛检、单机测试、光耦产线、机械外联

可测光耦:各种光耦(内外光路、数字、线性、高速、低速、单通道、多通道、普通隔离、高压隔离等等)

咨询服务:陕西天士立科技有限公司┃029-88225591┃13186093180

  • 产品功能
  • 量程精度
  • 测试原理
  • 配置选型
  • 常见问答

缩略图

 

品牌

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

型号

STO1400

STO1000

STD2000-OC

STD2000-OC

价格

¥0.6~1.3万

¥3~4.5万

¥8~12.9万

¥20~35万

名称

光耦参数测试仪

光耦参数测试仪

半导体分立器件静态参数测试系统

半导体分立器件静态参数测试系统

测试品类

ü OC/光耦

ü OC/光耦

ü BJT/三极管

ü OC/光耦

ü BJT/三极管

ü Diode/二极管

ü MOSFET/场效应管

ü GBT/绝缘栅大功率管

ü OC/光耦

ü BJT/三极管

ü Diode/二极管

ü MOSFET/场效应管

ü IGBT/绝缘栅大功率管

ü IPM/智能功率模块

ü SCR/可控硅&晶闸管

ü 继电器、达林顿、基准&稳压IC

测试参数

1. 输入  正向压降VF

2. 输入  反向电流IR

3. 输出  暗电流ICEO

4. 输出  击穿电压V(BR)CEO

5. 传输  电流传输比CTR

6. 传输  饱和压降VCE(sat)

1. 输入  正向压降VF

2. 输入  反向电流IR

3. 输出  暗电流ICEO

4. 输出  击穿电压V(BR)CEO

5. 传输  电流传输比CTR

6. 传输  饱和压降VCE(sat)

1. 输入  正向压降VF

2. 输入  反向电流IR

3. 输出  暗电流ICEO

4. 输出  击穿电压V(BR)CEO

5. 传输  电流传输比CTR

6. 传输  饱和压降VCE(sat)

7. 隔离  隔离电阻Riso

1. 正向压降 VF

2. 正向电流 IF

3. 反向电压 VR

4. 反向电流 IR

5. 暗电流 ICEO

6. 击穿电压 V(BR)CEO

7. 低电平电源电流 ICCL

8. 高电平电源电流 ICCH

9. 输出端高电平电压 VOH

10. 输出端低电平电压 VOL

11. 输出端高电平电流 IOH

12. 输出端低电平电流 IOL

13. 使能端高电平电压 VEH

14. 使能端低电平电压 VEL

15. 使能端高电平电流 IEH

16. 使能端低电平电流 IEL

17. 电流传输比 CTR

18. 饱和压降 VCE(sat)

19. 上升时间 tr

20. 下降时间 tf

21. 上升传输延迟时间 TPLH

22. 下降传输延迟时间 TPHL

23. 使能启动传输延迟 tELH

24. 使能关断传输延迟 tEHL

25. 隔离电阻 Riso






缩略图

 

 

 

 

品牌

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

型号

STO1400

STO1000

STD2000-OC

STD2000-OC

价格

¥0.6~1.3万

¥3~4.5万

¥8~12.9万

¥20~35万

名称

光耦参数测试仪

光耦参数测试仪

半导体分立器件静态参数测试系统

半导体分立器件静态参数测试系统

量程范围

耐压V(BR)CEO:1~1400V

压降VF:2mV~2V

暗电流ICEO:1uA~2000uA

漏电IR:1uA~2000uA

传输比CTR:0~9999

饱和压降VCE(sat):2mV~2V

耐压V(BR)CEO:0.1~1400V

压降VF:0.1V~3V

暗电流ICEO:0.1uA~10mA

漏电IR:0.1uA~10mA

传输比CTR:10~10000%

饱和压降VCE(sat):0.1V~3V

耐压V(BR)CEO:1~1400V

压降VF:1mV~10V

暗电流ICEO:1nA~2000uA

漏电IR:1nA~2000uA

传输比CTR:0~9999

饱和压降VCE(sat):1mV~10V

耐压V(BR)CEO:1~2000V

压降VF:1mV~10V

暗电流ICEO:1nA~2000uA

漏电IR:1nA~2000uA

传输比CTR:0~9999

饱和压降VCE(sat):1mV~10V

精度分辨率

电压精度2%

电压分辨率2mV

电流精度5%

电流分辨率1uA

电压精度2%

电压分辨率1mV

电流精度5%

电流分辨率0.01uA

电压精度1%

电压分辨率1mV

电流精度1%

电流分辨率1nA

电压精度0.1%

电压分辨率0.1mV

电流精度0.1%

电流分辨率10pA

主要特点

测试数据可导出
基于飞思卡尔 16 位单片机开发
支持 1 通道,可扩展
10 档位分档设计

支持电脑传输数据
测试数据可导出
基于飞思卡尔 16 位单片机开发
支持 1 通道,可扩展
10 档位分档设计

计算机软件程控系统
支持 1 通道、2 通道、4 通道
标配 16 档位(板卡)
选配 24 档位(板卡)
支持分选机、机械手、高低温试验舱

计算机软件程控系统
支持 1 通道、2 通道、4 通道
标配 16 档位(板卡)
选配 24 档位(板卡)
支持分选机、机械手、高低温试验舱

操作形式

单机
飞思卡尔 16 位单片机

单机
飞思卡尔 16 位单片机

系统
计算机软件程控

系统
计算机软件程控

通道

1 通道

1 通道

1 通道
2 通道
4 通道

1 通道
2 通道
4 通道

8通道

档位

10 档位

20 档位

16 档位(不同的板卡)
24 档位(不同的板卡)

16 档位(不同的板卡)
24 档位(不同的板卡)


缩略图

 

 

 

 

品牌

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

型号

STO1400

STO1000

STD2000-OC

STD2000-OC

价格

¥0.6~1.3万

¥3~4.5万

¥8~12.9万

¥20~35万

名称

光耦参数测试仪

光耦参数测试仪

半导体分立器件

静态参数测试系统

半导体分立器件

静态参数测试系统

主要特点

测试数据可导出
操作程序基于飞思卡尔 16 位单片机开发
支持 1 通道,可扩展
10 档位分档设计

支持电脑传输数据
测试数据可导出
操作程序基于飞思卡尔 16 位单片机开发
支持 1 通道,可扩展
10 档位分档设计

 

计算机软件程控系统
支持 1 通道、2 通道、4 通道
标配 16 档位(板卡)
选配 24 档位(板卡)
支持机械手连接

物理规格

尺寸:255*305*140(mm)
重量:<12kg
颜色:白色系
功耗:<30W

尺寸:350*450*200(mm)
重量:<12kg
颜色:白色系
功耗:<30W

 

尺寸:600*400*200(mm)
重量:<30kg
颜色:白色系
功耗:<50W

操作形式

单机
飞思卡尔 16 位单片机

单机
飞思卡尔 16 位单片机

 

系统
计算机软件程控

分选机连接

×

×

 

通道

1 通道

1 通道

 

1 通道
2 通道
4 通道

档位

10 档位

20 档位

 

16 档位(不同的板卡)
24 档位(不同的板卡)

程控电脑

单片机控制

单片机控制
支持电脑传输数据

 

嵌入式计算机
Win7 系统
程控软件基于 Lab VIEW 平台开发

缩略图

 

 

 

 

品牌

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

Tianshili/天士立

型号

STO1400

STO1000

STD2000-OC

STD2000-OC

价格

¥0.6~1.3万

¥3~4.5万

¥8~12.9万

¥20~35万

名称

光耦参数测试仪

光耦参数测试仪

半导体分立器件

静态参数测试系统

半导体分立器件

静态参数测试系统

输入
特性

正向
压降

VF

范围

0-10V

0.1V~3V

 

 

 

 

 

分辨率

1mV

1mV

 

 

 

 

 

精度

<1%+2RD

2%

 

 

 

 

 

条件

0-400mA

1mA~1A

 

 

 

反向
电流

IR

范围

0-2000uA

0.1uA~10mA

 

 

 

 

 

分辨率

10nA

0.01uA

 

 

 

 

 

精度

<1%+5RD

5%

 

 

 

 

 

条件

VR=0-10V±1%

1V~100V

 

 

 

 

VR

范围

 

5V~97V

 

 

 

 

 

分辨率

 

0.1V

 

 

 

 

 

精度

 

3%

 

 

 

 

 

条件

 

10uA~10mA

 

 

输出
特性

暗电流

ICEO

范围

0-2000uA

0.1uA~10mA

 

0-2000uA

 

 

 

分辨率

1UA

0.01uA

 

1nA

 

 

 

精度

<5% +5RD

5%

 

<1% +5RD

 

 

 

条件

BVCE=25V

10V~1000V

 

0-1000V±1%

 

击穿
电压

V(BR)CEO

范围

0-1400V

10V~1000V

 

0-1000V

 

 

 

分辨率

1V

0.1V

 

0.1V

 

 

 

精度

<2%+2RD

2%

 

<1%+2RD

 

 

 

条件

0-2mA

10uA~10mA

 

0-2mA

传输
特性

电流
传输比

CTR

范围

0-9999

10~10000%

 

0-9999

 

 

 

分辨率

1%

10%

 

1%

 

 

 

精度

1% +5RD

2%

 

 

 

 

 

条件VCE

0-20V

1V~25V

 

0-10V

 

 

 

条件IF

0-100mA

1mA~1000mA

 

0-400mA±1%

 

饱和
压降

VCE(sat)

范围

0-2.000V

0.1V~3V

 

0-10.000V

 

 

 

分辨率

2mV

1mV

 

1mV

 

 

 

精度

1% +5RD

2%

 

1% +5RD

 

 

 

条件IC

0-1.000A

1mA~6A

 

0-400mA

 

 

 

条件IF

0-1.000A

1mA~1000mA

 

0-400mA±1%

隔离
特性

隔离
电阻

Riso

 

不支持

不支持

 

选配

开关
特性

上升
时间

tr

 

不支持

不支持

 

选配

 

下降
时间

tf

 

不支持

不支持

 

选配

 

高电平
延时

TPLH

 

不支持

不支持

 

选配

 

低电平
延时

TPHL

 

不支持

不支持

 

选配

服务热线:
029-88225591
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