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Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备NO.1、水平NO.1、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。
Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域。
Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMAMosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
服务目录
Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
一、失效分析测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：开短路检测 4
(2) 检测项目：漏电检测 4
(3) 检测项目：产品外观或形貌确认 4
(4) 检测项目：尺寸测量 4
(5) 检测项目：超声波检测(SAT) 4
(6) 检测项目：X-ray检测 5
(7) 检测项目：推拉力检测 5
(8) 检测项目：有害物质检测 5
(9) 检测项目：剖面分析 5
(10) 检测项目：样品开封 5
二、电学检测 ·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：直流参数 6
(2) 检测项目：雪崩能量 6
(3) 检测项目∶栅极电阻 6
(4) 检测项目：开关时间（器件级） 6
(5) 检测项目：开关时间（模块级） 6
(6) 检测项目：反向恢复（模块级） 6
(7) 检测项目：反向恢复（器件级） 6
(8) 检测项目：栅极电荷（模块级） 7
(9) 检测项目：栅极电荷（器件级） 7
(10) 检测项目：短路耐量能力（模块级） 7
(11) 检测项目：短路耐量能力（器件级） 7
(12) 检测项目：结电容 7
(13) 检测项目：热阻性能（器件级） 7
(14) 检测项目：热阻性能（模块级） 7
(15) 检测项目：参数曲线扫描 8
(16) 检测项目：ESD能力 8
(17) 检测项目：正向浪涌能力 8
三、应用系统检测 ·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：电气参数 9
(2) 检测项目：保护功能测试 9
(3) 检测项目：元器件应力测试 9
(4) 检测项目：电气/抗电强度测试 9
(5) 检测项目：绝缘电阻测试 10
(6) 检测项目：接地电阻测试 10
(7) 检测项目：低温测试 10
(8) 检测项目：高温测试 10
(9) 检测项目：高加速寿命/应力测试 10
(10) 检测项目：静电放电抗扰度测试 10
(11) 检测项目：雷击浪涌抗扰度测试 10
(12) 检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试 11
四、可靠性测试 ·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
(1) 检测项目：功率循环龌 (PC) 12
(2) 检测项目：高温门极试验(HTGB) 12
(3) 检测项目：低温工作寿命试验(LTOL) 12
(4) 检测项目：低温储存试验(LTSL) 12
(5) 检测项目：高低温循环试验(TC) 12
(6) 检测项目：稳态功率试验(SSOL) 12
(7) 检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST) 13
(8) 检测项目：预处理试验(Pre-con) 13
(9) 检测项目：高温反偏试验(HTRB) 13
(10) 检测项目：高温工作寿命试验(HTOL) 13
(11) 检测项目：高温储存试验(HTSL) 13
(12) 检测项目：高温高湿试验(THB) 13
(13) 检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC) 13
(14) 检测项目：高加速应力试验(HAST) 14
(15) 检测项目：高温蒸煮试验(PCT) 14
(16) 检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL) 14
(17) 检测项目：可焊性试验(Solderability) 14
一、失效分析测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
检测项目：开短路检测
覆盖产品：IC
检测能力：满足128pin及以下引脚IC的open/short测试、曲线跟踪分析、漏电流测试；Max电压7V，电压精度1mV，Max电流 500mA，电礪度 10nA；
执行标准：客户要求
检测项目：漏电检测
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：具有EMMI (微光)和TIVA (激光诱导)两种侦测方 式；加电方式A：电压20mV-200V，电流10nA-1A，电流精度 10fA；加电方式B：Max电压3000V，Max电流5A。
执行标准：客户要求
检测项目：产品外观或形貌确认
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：立体成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；数码成像/Max6000倍；
执行标准：客户要求
检测项目：尺寸测量
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：立体成像/Max45倍；金相成像/Max1000倍；数码成像/Max6000倍；
执行标准：客户要求
检测项目：超声波检测(SAT)
覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品
检测能力∶具有分层面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行A-scan（点扫描）、B-scan（纵向扫描）、 C-scan（横向扫描）、Through-scan（透射扫描）。
执行标准∶GuoJun标
检测项目：X-ray检测
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：High分辨率0.5um。具有空洞面积百分比计算，缺陷尺寸标识，厚度与距离测量等功能。可进行二维扫描、三维CT扫描。
执行标准：GuoJun标
检测项目：推拉力检测
覆盖产品∶ IC，分立器件，模块等产品
检测能力∶支持WP100和WP2.5KG二款拉力测试头，测试范围0- 2.5Kg;支持BS250、BS5KG和DS100KG三款推力测试头，测试范围0-100Kg，推刀接受面宽0-8891um。
执行标准∶ GuoJun标
检测项目：有害物质检测
覆盖产品∶IC，分立器件，模块等产品
检测能力∶ 支持铅（Pb）、镉（Cd）、汞（Hg）、六价铬（Cr6+）、多溴联苯（PBB）和多溴二苯醚（PBDE），以及卤素等其他化学元素的检测。主要元素Pb/Cd/Hg/Cr/BrMini检测限可达2ppm。
执行标准∶ IEC
检测项目：剖面分析
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：金相样品制备、样品观察、样品染色。
执行标准：客户要求
检测项目：样品开封
覆盖产品：IC，分立器件，模块等产品
检测能力：激光开封、化学开封、样品剥层。
执行标准：客户要求
二、电学检测·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
检测项目：直流参数
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE等模块产品；
检测能力：检测Max电压7500V检测Max电流6000A
执行标准：国标，IEC
检测项目：雪崩能量
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE，第三代半导体器件等单管器件
检测能力：检测Max电压2500V检测Max电流200A
执行标准：美军标
检测项目∶栅极电阻
覆盖产品∶MOSFET、IGBT及第三代半导体器件
检测能力∶检测阻抗∶0.1Ω～50Ω
执行标准∶JEDEC
检测项目：开关时间（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体单管器件；
检测能力：Max电压1200V Max电流200A
执行标准：美军标，国标，IEC等
检测项目：开关时间（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测Max电压2700V检测Max电流4000A
执行标准：国标，IEC
检测项目：反向恢复（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测Max电压2700V检测Max电流4000A
执行标准：国标，IEC
检测项目：反向恢复（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测能力：Max电压1200V Max电流200A
执行标准：美军标，国标，IEC等
检测项目：栅极电荷（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测Max电压2700V检测Max电流4000A
执行标准：国标，IEC
检测项目：栅极电荷（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测能力：Max电压1200V Max电流200A
执行标准：美军标，国标，IEC等
检测项目：短路耐量能力（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：检测Max电压2700V，检测Max电流10000A
执行标准：国标，IEC
检测项目：短路耐量能力（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE及第三代半导体器件等单管器件
检测能力：检测Max电压1200V，检测Max电流1000A；
执行标准：美军标，国标，IEC等
检测项目：结电容
覆盖产品：MOSFET、IGBT及第三代半导体单管器件
检测能力：检测Max电压3000V
执行标准：IEC
检测项目：热阻性能（器件级）
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体单管器件
检测能力：功率250W
执行标准：美军标，JEDEC
检测项目：热阻性能（模块级）
覆盖产品：IGBT等模块产品
检测能力：Max功率4000W
执行标准：美军标，JEDEC
检测项目：参数曲线扫描
覆盖产品：MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件的l-V、C-V曲线
检测能力：检测Max电压3000V检测Max电流1500A温度-70°C~180°C
执行标准：美军标，IEC等
检测项目：ESD能力
覆盖产品：MOSFET、IGBT、IC等产品
检测能力：HBMMax电压8000V；MMMax电压800V
执行标准：美军标，ANSI，JEDEC等
检测项目：正向浪涌能力
覆盖产品：DIODE (Si/SiC)、整流桥；
检测能力：Max电流800A
执行标准：美军标，国标
三、应用系统检测·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
检测项目：电气参数
覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
检测能力：低压AC/DC电源：单相Max输入电压/功率为 300V/3KVA；Max输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：Max输入电压/功率为80V/1.2KW；Max输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相Max输入电压/功率为 500V/30KVA；Max输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：保护功能测试
覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板。
检测能力：低压AC/DC电源：单相Max输入电压/功率为 300V/3KVA；Max输出电压/功率：80V/1000W；低压DC/DC电 源：Max输入电压/功率为80V/1.2KW；Max输出电压/功率： 80V/1000W；直流充电桩电源模块：三相Max输入电压/功率为 500V/30KVA；Max输出电压/功率：700V/30KW；电机控制板： 直流输入电压/功率100V/5KW
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：元器件应力测试
覆盖产品：开关电源(例如低压AC/DC电源，低压DC/DC电源，直流充电桩电源模块等)、电机控制板、锂电保护板。
检测能力：Max峰值电压：1.5KV；Max有效值/峰值电流：30A/50A；High温度：260°C
执行标准：元器件规格，客户要求等
检测项目：电气/抗电强度测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：交流耐压范围：(0~5)KV/40mA；直流耐压范围：(0~6)KV/9999uA
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：绝缘电阻测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：(100~1K)Vdc/9999mΩ
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：接地电阻测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：30A/600mΩ
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：低温测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：Mini温度：-70℃
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：高温测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：High温度：~180℃
执行标准：国标，IEC，客户要求等
检测项目：高加速寿命/应力测试
覆盖产品∶电子电气产品
检测能力∶温度范围∶（-100～+200）℃℃;温度上升速率∶平均（70°～100°）C/m; 加速∶（5-60）gRMS （空台）
执行标准∶国标，IEC，客户要求等
检测项目：静电放电抗扰度测试
覆盖产品∶电子电气产品
检测能力∶接触静电放电电压范围∶（±2～±8）KV空气静电放电电压范围∶（±2～±25）KV
执行标准∶国标，IEC，客户要求等
检测项目：雷击浪涌抗扰度测试
覆盖产品∶电子电气产品
检测能力∶1.2/50us综合波的开路电压范围∶（0.25～10）KV; 10/700us通讯波的开路电压范围∶（0～6）KV;输出阻抗∶ 1.2/50us综合波2Ω、12Ω和500Ω;10/700us通讯波15Ω和40Ω
执行标准∶国标，IEC，客户要求等；
检测项目：电源端子骚扰电压/传导测试
覆盖产品：电子电气产品
检测能力：9KHz~ 30MHz
执行标准：国标，IEC，客户要求等
四、可靠性测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
检测项目：功率循环龌 (PC)
覆盖产品∶IGBT模块
检测能力∶△Tj=100℃电压电流Max1800A，12V
执行标准∶ IEC 客户自定义
检测项目：高温门极试验(HTGB)
覆盖产品∶MOSFET、SiC MOS等单管器件
检测能力∶温度High150℃;电压High2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：低温工作寿命试验(LTOL)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶温度Mini-80℃ 电压High2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：低温储存试验(LTSL)
覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度Mini-80℃
执行标准∶ 美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高低温循环试验(TC)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、IDIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度范围∶-80℃~220℃
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：稳态功率试验(SSOL)
覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶△Tj≥100℃，电压电流Max48V，10A
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：无偏压的高加速应力试验(UHAST)
覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度130℃ 湿度85%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：预处理试验(Pre-con)
覆盖产品∶所有SMD类型器件
检测能力∶设备满足各个等级的试验要求
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高温反偏试验(HTRB)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR，第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶温度High150℃; 电压High2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高温工作寿命试验(HTOL)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶温度High150℃，电压High2000V
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高温储存试验(HTSL)
覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度High150℃;
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高温高湿试验(THB)
覆盖产品∶MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、IGBT模块、第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度High180℃ 湿度范围∶10%~98%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：间歇寿命试验(IOL)功率循试验(PC)
覆盖产品∶MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶△Tj≥100℃ 电压电流Max48V，10A
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高加速应力试验(HAST)
覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶ 温度130℃/110℃ 湿度85%
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：高温蒸煮试验(PCT)
覆盖产品∶ MOSFET、DIODE、BJT、IGBT及第三代半导体器件等产品及其他电子产品
检测能力∶温度121℃ 湿度1
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：潮气敏感度等级试验(MSL)
覆盖产品∶所有SMD类型器件
检测能力∶设备满足各个等级的试验要求
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
检测项目：可焊性试验(Solderability)
覆盖产品∶ MOSFET、IGBT、DIODE、BJT、SCR、IC、第三代半导体器件等单管器件
检测能力∶有铅、无铅均可进行
执行标准∶美军标，国标，JEDEC，IEC，AEC，客户自定义等
五、其它测试·Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA
Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”专业的第三方检测机构。具有CNAS和CMA认证资质，拥有多个设备NO.1、水平NO.1、专业人员、制度规范的大型综合“第三方公正检测实验单位”，对外提供检测测试和验证等服务。
Mosfet检测试分析_**_华则检测第三方实验室CNAS/CMA：“华则检测”主要业务包含功率器件参数检测、半导体可靠性检测、半导体环境老化试验分析、应用级系统分析、半导体失效分析、车用分立器件可靠性测试认证、车用功率模块可靠性测试认证、力学实验、气候环境实验等领域。
